到岗时间：不限
性别要求：不限性别
研究方向一、非晶氧化物（IGZO）硅基三维集成及其类脑芯片的应用；
岗位要求：
1、已获得或即将获得博士学位，材料学、材料物理、化学和电子信息等专业；
2、以***作者在相关学科领域发表过SCI论文；
3、具备神经形态器件研究经验者优先。
研究方向二、基于单晶铌酸锂的声学滤波器/声学换能器/微纳光子器件的应用
岗位要求：
1、已获得或即将获得博士学位，电子科学与技术、微电子、电子/电气工程、电子信息、机械、物理、材料等专业；
2、以***作者在相关学科领域发表过SCI论文；
3、具有压电MEMS器件或微纳光子器件研究经验者优先。
中心介绍：
功能材料与器件异构集成研究中心围绕新型功能材料与器件在后摩尔时代集成电路领域的应用，以智能剥离（Smart-cut）和神经形态计算（Neuromorphic computation）为根技术，研究压电单晶薄膜、氧化物神经形态器件等功能材料与器件硅基集成应用，突破信息功能材料性能单一和传统硅的冯诺依曼瓶颈，实现上述功能材料与器件异构集成技术和相关产业化应用。研究中心重点研究方向包括铁电/压电光电（LiNb03/LiTa03）单晶薄膜制备及其5G滤波器、柔性压电传感器和光子集成应用、非晶氧化物（IGZO）硅基三维集成及其应用。
研究方向一、非晶氧化物（IGZO）硅基三维集成及其类脑芯片的应用；
岗位要求：
1、已获得或即将获得博士学位，材料学、材料物理、化学和电子信息等专业；
2、以***作者在相关学科领域发表过SCI论文；
3、具备神经形态器件研究经验者优先。
研究方向二、基于单晶铌酸锂的声学滤波器/声学换能器/微纳光子器件的应用
岗位要求：
1、已获得或即将获得博士学位，电子科学与技术、微电子、电子/电气工程、电子信息、机械、物理、材料等专业；
2、以***作者在相关学科领域发表过SCI论文；
3、具有压电MEMS器件或微纳光子器件研究经验者优先。
中心介绍：
功能材料与器件异构集成研究中心围绕新型功能材料与器件在后摩尔时代集成电路领域的应用，以智能剥离（Smart-cut）和神经形态计算（Neuromorphic computation）为根技术，研究压电单晶薄膜、氧化物神经形态器件等功能材料与器件硅基集成应用，突破信息功能材料性能单一和传统硅的冯诺依曼瓶颈，实现上述功能材料与器件异构集成技术和相关产业化应用。研究中心重点研究方向包括铁电/压电光电（LiNb03/LiTa03）单晶薄膜制备及其5G滤波器、柔性压电传感器和光子集成应用、非晶氧化物（IGZO）硅基三维集成及其应用。
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