到岗时间：不限
性别要求：不限性别
岗位职责：
1、负责半导体微纳器件制备中离子注入工艺的开发、优化及维护；
2、根据微纳器件的具体工艺要求，如SMART Cut、源/漏注入、沟道调制等，进行离子注入工艺开发与优化，包括试验设计、数据采集、数据分析，对工艺参数进行持续的优化及维护；
3、开发和优化离子注入后的退火、活化、隔离以及各种离子注入相关的后续工艺；
4、制定离子注入工艺方法、操作流程和规范，建立相关的作业指导书与技术文件，指导技术人员，撰写培训资料，培训现场操作人员并进行效果评估；
5、负责离子注入新设备，新工艺，新物料，新特气的调研，评估，论证，导入，验证等；
6、跟踪最新的集成电路技术趋势，以确保离子注入工艺的持续创新和改进；
7、完成实验室交办的其他工作任务。
平台介绍：
信息材料与微纳器件制备平台是围绕高速通讯、自动驾驶和智能机器人等新兴产业，立足长三角，面向全国的集光电半导体材料生长、晶圆制造、先进封装与测试、可靠性验证等为一体的共享型研发验证平台。平台建筑面积12000平米，总投资11亿，以 微纳光学 、 光电共封装 、 半导体互连集成 为特色，建立国际一*流的多材料体系加工、高端量测、先进工艺PDK、协同研发验证及产业化服务能力。该平台立足新兴产业，可完善现有平台布局，将长三角半导体产业上游材料和下游应用有机结合起来，以研发集聚与协同验证串联产业链上下游、汇聚培养一批半导体领域紧缺的工程型、复合型人才，助力初创团队企业跨越科研成果到产业化的 死亡之谷 ，孵育一批细分领域专精特新企业。
任职要求：
1、已获得硕士及以上学位，材料，机械工程，物理，化学，微电子，微纳加工、半导体等相关专业；
2、熟悉半导体微纳器件开发，制造，生产基础知识，2年以上微纳器件制备工艺开发经验，或2年以上Fab厂离子注入工艺开发经验，有8寸或12寸工作经验优先；
3、熟悉业界主流离子注入设备及其性能，深入了解应用材料AMAT、亚舍立Axcelis、爱发科ULVAC离子注入设备结构，特性和操作要点；
4、熟悉SMART Cut工艺，对集成电路各个器件的离子植入需求有深厚的理解，例如对MOSFET的源/漏注入、沟道调制等；
5、熟悉集成电路中的退火、活化、隔离以及各种离子注入相关的后续工艺；
6、具有良好的逻辑分析能力、书面表达能力、人际沟通能力，PPT汇报，以及良好的英文阅读及书写能力；
7、具备良好的沟通协调能力，积极主动，能与团队协同高效完成任务。
求职提醒：求职过程请勿缴纳费用，谨防诈骗！若信息不实请举报。
